В двумерной структуре заполнена электронами одна двумерная подзона размерного квантования. Концентрация электронов равна 10^11 см^-2. Масса электронов равна 0,1 массы свободного электрона. Диэлектрическая проницаемость материалов структуры равна 12. Чему равен радиус экранирования двумерными электронами при температуре 300 К

Радиус экранирования двумерными электронами можно найти по формуле:

$r_s = \frac{\epsilon}{\sqrt{\pi n e^2}}$

где $\epsilon$ - диэлектрическая проницаемость материала, $n$ - концентрация электронов, $e$ - заряд электрона.

Подставляя значения, получаем:

$r_s = \frac{12}{\sqrt{\pi \cdot 10^{11} \cdot (1.6 \cdot 10^{-19})^2}} \approx 7.8 \cdot 10^{-8}$ м

Ответ: $7.8 \cdot 10^{-8}$ м.